該項目得到中國科學院前沿科學與教育局、中國科學院先導專項、國家天然科學基金委、科技部要點研制方案、中科院蘇州納米所自有資金的贊助，而且感謝中科院蘇州納米所加工渠道、測驗渠道以及Nano-X在技能上的支持。 III族氮化物資料是一種直接帶隙資料，具有禁帶寬度寬、化學不亂性強、擊穿電場高以及熱導率高級優(yōu)點，在高效發(fā)光器材以及功率電子器材等范疇有著廣泛的使用前景，這些年已成為一大研討熱點。現在簡直一切的InGaN基激光器均是使用珍貴的自支持GaN襯底進行制備，約束了其使用規(guī)模。硅襯底具有本錢低、熱導率高以及晶圓標準大等優(yōu)點，如果能夠在硅襯底上制備InGaN基激光器，將有用下降其出產本錢，然后進一步推廣其使用。
　　硅是半導體職業(yè)最常見的資料，激光焊接機基于硅資料的電子芯片被廣泛使用于平時日子的各種設備中，從智能手機、電腦到轎車、飛機、衛(wèi)星等。
　　可是，硅作為直接帶隙資料，發(fā)光功率極低，難以直接作為發(fā)光資料。隨著技能的開展，研討者發(fā)現經由傳統(tǒng)的電氣互聯來進行芯片與體系之間的通信現已難以滿足電子器材之間更快的通信速度以及更雜亂體系的哀求。將InGaN基激光器直接成長在硅襯底資料上，為GaN基光電子器材與硅基光電子器材的有機集成供應了也許。研討職員提出使器具有高發(fā)光功率的III-V族資料作為發(fā)光資料，成長或許鍵合在硅襯底上，然后完成硅基光電集成。
　　另一方面，自1996年面世以來，InGaN基激光器在二十多年里得到了快速的開展，其使用規(guī)模廣泛信息存儲、照明、激光顯現、可見光通信、海底通信以及生物醫(yī)療等范疇。為解決這一疑問，“光”被以為是一種十分有潛力的超高速傳輸前言，激光焊接機可用于硅基芯片以及體系間的數據通信。 。

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